ST官宣200mm碳化矽晶圓製造成功

意法半導體7月27日在官微發布公告稱，ST位於瑞典北雪平的工廠已經製造出了首批8英寸SiC晶圓片，而下一代電力電子芯片產品，將用這批8英寸晶圓作為原材料。

ST表示，此次SiC晶圓升級到8英寸，標誌著產能的擴大，已經能夠支持汽車和工業市場的需求，也標誌著此前擬定的“實現係統和產品電氣化”的計劃取得階段性的突破。

據消息表示，這批SiC晶圓的質量卓越，良品率高，晶體位錯的缺陷率影響非常少。除了要能夠滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到8英寸還需對製造設備和整體生態係統進行升級更換。據消息透露，ST目前正在積極與上下遊技術廠商合作開發自己的製造設備和生產工藝。

據ST官微揭露，目前ST量產的先進碳化矽產品STPOWER SiC是由意大利和新加坡的兩家150mm晶圓廠完成前工序製造，而後工序製造是在中國深圳和摩洛哥的兩家封測廠完成的。這個階段性的突破是意法半導體布局更先進的、高成本效益的200mm晶圓量產計劃的組成部分。